01 · Punto de partida
2 A que no calientan
Motor 12 V/2 A con IRLZ44N a 5 V: P = 88 mW, Vds = 44 mV, TO-220 frío al tacto. La misma llave con BJT pediría 100 mA de base y disiparía 0,6 W. Esa es la diferencia entre “anda” y “ni se entera”: tres piezas (gate R, pull-down, diodo si inductiva) y una medición en milivoltios.
Este taller deja la receta low-side completa y sus verificaciones.
- ¿Cómo se cablea gate + pull-down + carga?
- ¿Qué R de gate y por qué?
- ¿Cómo confirmo con Vds en mV?
- ¿Cuándo usar high-side P?
02 · Receta low-side
Cinco piezas, un orden
- 1Source a GND, drain a la carga.
La carga va entre +V y drain. Nunca al revés (el body conduciría siempre).
- 2Gate con R serie 100–220 Ω.
Protege el pin en la carga inicial de gate. Con pulsador manual puede obviarse; con micro, obligatoria.
- 3Pull-down 10k gate–GND.
Define apagado con mando desconectado o micro reseteando. Sin esto, arranques locos.
- 4Diodo si es inductiva.
Motor/relé/solenoide: freewheel en antiparalelo (Tema 14). Resistiva: innecesario.
- 5Verificar Vds.
En mV con carga (I×Rds): 44 mV a 2 A con 22 mΩ. Voltios = gate flojo o Rds mayor al creído.
03 · Ejemplo completo
Motor 12 V / 2 A con IRLZ44N a 5 V
| Decisión | Elegido | Verificación |
|---|---|---|
| MOSFET | IRLZ44N (L, 22 mΩ @5 V) | chequeo_gate OK (Tema 22) |
| Gate | R 220 Ω + pull 10k | Apagado definido, pin protegido |
| Diodo | 1N4007 en bornes motor | Sin chispa al soltar |
| Pérdida | 88 mW | Frío; Vds 44 mV medidos |
Con IRFZ44N estándar a 5 V el mismo montaje daría ~0,4 W y Vds ~200 mV: funciona pero tibio y al límite. La L paga solo.
04 · High-side y PWM
Lo que sigue (sin diseñar aún)
- High-side con P
- Carga entre drain y GND, source a +V: gate a +V apaga, a GND (o menos) enciende. Manda con lógica invertida y Vgs referidos a +V: con micros se usa driver o N con bomba (curso 7).
- PWM conceptual
- Conmutar rápido para regular velocidad/brillo: el promedio manda. Pérdidas de conmutación + gate driver son del curso 7; en continua de este taller no existen.
- Protecciones extra
- Zener gate-source (12 V) si el mando supera Vgs max; fusible en la carga gorda. Se agregan cuando el riesgo lo pide, no por defecto.
- Paralelo de MOSFET
- Se puede (Rds positiva reparte), pero exige simetría térmica y gate por separado: curso avanzado. Un solo bien elegido rinde más.
05 · Taller en código
Diseñador low-side completo
Entra carga y mando: sale receta con verificaciones:
Python en tu navegador. Diseñá tus llaves y ejecutá el veredicto térmico.
def llave_mos(carga_a, v_motor, rds_mohm=22, vgs=5, logic_ok=True):
rds = rds_mohm / 1000
p = carga_a**2 * rds
vds = carga_a * rds
print(f"I={carga_a}A Vds={vds*1000:.0f}mV P={p*1000:.0f}mW")
print("Gate: R serie 220 + pull-down 10k" + (" + diodo si inductiva" if v_motor >= 5 else ""))
ver = "FRÍA" if p < 0.25 else "tibia: vigilar" if p < 1.0 else "DISIPADOR"
print("Veredicto:", ver, "| Logic:", "OK" if logic_ok else "REVISAR Vgs")
return p
llave_mos(2.0, 12)
llave_mos(0.5, 12)
Probá llave_mos(5.0, 12): ¿P? ¿Sigue fría? ¿Qué TO-220 sin disipador aguanta?
Comparador N vs P (conceptual)
Misma carga, dos high/low-side equivalentes:
def comparar_lados(i_a, rds_n=0.022, rds_p=0.05):
print(f"Low N: P={i_a**2*rds_n*1000:.0f}mW | High P: P={i_a**2*rds_p*1000:.0f}mW")
print("P suele perder en Rds: N rinde más por moneda (salvo necesidad high-side)")
comparar_lados(2.0)
06 · Analogía programador
Pull-down y defaults
- 1Pull-down = default false.
Sin orden explícita, apagado. Como inicializar variables: el hardware también necesita su cero.
- 2R gate = rate limit.
Suaviza el flanco de carga del gate: protege al driver sin cambiar el resultado.
- 3Vds en mV = métrica.
Una lectura dice salud de la llave: monitoreo de un número.
07 · Exploración
Laboratorio: diseñar la llave MOS
Elegí carga y mando: el laboratorio calcula P, Vds, red gate y dictamina, con aviso de disipador y de logic-level.
Carga + mando → receta
P = I² × Rds
Motor 2 A con 5 V: 44 mV y 88 mW, frío.
Preguntas para explorar
- ¿Con 5 A qué P da? ¿Sigue sin disipador?
- ¿Qué cambia con mando 3,3 V en el veredicto?
- ¿Por qué la red gate no cambia con la carga?
Ver respuestas sugeridas
- P = 25×0,022 = 0,55 W: tibio-caliente, pide cobre/disipadorcito. El límite práctico sin disipar ronda 2–3 A.
- Pide verificar Rds real a 3,3 V (mayor que 22 mΩ): el laboratorio avisa “L justo”. Medir Vds confirma.
- Porque protege al driver y define reposo, no la potencia: 220 + 10k valen de 100 mA a 5 A.
08 · Comprensión
Confusiones frecuentes
«Sin pull-down anda igual»
Anda hasta que el micro resetea o el cable se suelta: gate flotante = encendidos fantasma. 10k siempre, sin debate.
«Vds = 0, está perfecto»
Vds = 0 con carga significa gate sin mando o MOS muerto en corto... o multímetro en escala gruesa. mV > 0 confirma conducción real.
«P despreciable siempre»
A 5 A son 0,55 W: sin cobre se calienta de verdad. Despreciable hasta ~2 A con 22 mΩ; después se calcula.
«High-side igual pero arriba»
No igual: el gate se referencia a +V (12 V para apagar un P de 12 V). Con micro de 5 V hace falta driver o NPN ayudante (curso 7).
09 · Práctica guiada
Ejercicios de llaves MOS
Ejercicio 1: tira 12 V / 1 A
Con llave_mos(1.0, 12): ¿P? ¿Vds? ¿Red gate? ¿Diodo? Montala y medí Vds en mV.
Ver solución razonada
P = 22 mW, Vds = 22 mV: frío. Red 220 + 10k; sin diodo (resistiva). Medido debe dar decenas de mV, no voltios.
Ejercicio 2: límite sin disipador
¿Hasta qué I sigue “fría” (< 0,25 W) con 22 mΩ? Calculá a mano y verificá barriendo llave_mos().
Ver solución
I = √(0,25/0,022) ≈ 3,4 A. Regla práctica: hasta ~3 A sin disipador con buena ventilación; más, con cobre.
Ejercicio 3: cazar gate flotante
Armá la llave sin pull-down y tocá el gate con el dedo (solo 5–12 V, con cuidado). ¿Qué hace la carga? Explicá y corregí.
Ver solución
Parpadea o queda a medias: el cuerpo acopla ruido al gate flotante. Corrección: pull-down 10k. Demostración inolvidable del porqué.
10 · Síntesis
Ideas para recordar
- Low-side N: carga arriba, source a GND, gate 220 + 10k.
- Vds en mV confirma; P = I²Rds decide disipador (límite ~3 A pelado).
- Diodo en inductivas; pull-down siempre; logic-level con micros.
- High-side P y PWM rápido son del curso 7.
llave_mos()diseña y dictamina cada llave.
Llaves frías de amperios. Ahora, a elegir entre mundos: en el próximo tema, BJT vs. MOSFET, tabla de decisión.